전자산업의 마이크로소자에 적외선현미경의 응용
적용 방향: 마이크로 반도체 장치의 온도 측정에서 적외선 현미경의 기능.
둘째, 배경:
나노기술의 발전으로 하향식 소형화가 반도체 기술 분야에 점점 더 많이 적용되고 있습니다. 트랜지스터의 크기가 미크론(10-6미터) 수준이기 때문에 우리는 IC 기술을 "마이크로전자공학" 기술이라고 불렀습니다. 그러나 반도체 기술은 매우 빠르게 발전하고 있으며, 2년마다 한 세대씩 발전하여 크기가 원래 크기의 절반으로 줄어들게 됩니다. 이것이 유명한 무어의 법칙이다. 약 15년 전부터 반도체는 서브 마이크론, 즉 마이크론 이하의 시대에 돌입하기 시작했고, 그 후 딥 서브 마이크론, 마이크론보다 훨씬 작은 시대가 있었습니다. 2001까지 트랜지스터의 크기는 0.1 마이크론 미만, 즉 100 나노미터 미만이었습니다. 따라서 이제는 나노전자공학 시대이며, 미래 IC의 대부분은 나노기술로 만들어질 것이다.
셋째, 기술 요구 사항:
현재 전자 장치의 주요 고장 형태는 열 고장입니다. 통계에 따르면 전자 장치 고장의 55%는 규정된 온도를 초과하는 온도로 인해 발생합니다. 온도가 상승함에 따라 전자 장치의 고장률이 기하급수적으로 증가합니다. 일반적으로 전자 부품의 작동 신뢰성은 온도에 매우 민감하며 70-80도 수준에서 장치 온도가 1도 증가할 때마다 신뢰성은 5%씩 감소합니다. 따라서 장치의 온도를 빠르고 안정적으로 감지하는 것이 필요합니다. 반도체 소자의 크기가 점점 작아짐에 따라 감지 장비의 온도 분해능과 공간 분해능에 대한 요구 사항도 높아지고 있습니다.
넷째, 현장에서 히트맵을 촬영합니다. (위치: 유명 과학연구소 모델: INNOMETE SI330)
