전원 공급 장치의 과도한 방사선 문제를 해결하는 방법
스위칭 전원 공급 장치의 전압 및 전류 변화율은 매우 높으며 생성된 간섭 강도는 상대적으로 큽니다. 간섭 소스는 주로 전원 전환 기간과 이에 연결된 라디에이터 및 고급 변압기에 집중되며 디지털 회로에 대한 간섭 소스의 위치는 상대적으로 명확합니다. 스위칭 주파수는 높지 않으며(수십 킬로헤르츠에서 수 메가헤르츠까지) 간섭의 주요 형태는 전도 간섭과 근거리 간섭입니다.
표준을 초과하는 각 주파수 지점에 대한 구체적인 솔루션은 다음과 같습니다.
1MHz 이내:
주로 차동 모드 간섭 1. X 커패시턴스를 증가시킵니다. 2. 차동 모드 인덕턴스를 추가합니다. 3. 소형 전원 공급 장치는 PI 필터로 처리할 수 있습니다(변압기에 가까운 큰 전해 콘덴서를 선택하는 것이 좋습니다).
1M-5MHz:
차동 모드 및 공통 모드 혼합, 입력 단자와 일련의 X 커패시터를 사용하여 차동 간섭을 필터링하고 어떤 종류의 간섭이 표준을 초과하는지 분석하여 해결합니다.
5MHz:
위의 내용은 주로 공동 마우스 간섭을 기반으로 하며 공동 마우스를 억제하는 방법이 채택됩니다. 접지된 경우 접지선에 자기 링을 2회 사용하면 10MHZ 이상의 간섭을 크게 줄일 수 있습니다(diudiu2006). 25--30MHZ의 경우 Y 커패시터를 접지까지 늘리고 변압기 외부에 구리 스킨을 감쌀 수 있습니다. PCBLAYOUT을 변경하고 출력 라인 앞에 병렬로 두 개의 와이어가 있는 작은 자기 링을 최소 10회 연결합니다. 출력 정류관 양단에 RC 필터를 연결합니다.
100만-5MHZ:
차동 모드 공통 모드 믹싱은 입력에 병렬로 연결된 일련의 X 커패시터를 사용하여 차동 모드 간섭을 필터링하고 어떤 종류의 간섭이 표준을 초과하는지 분석하여 해결합니다. 1. 표준을 초과하는 차동 모드 간섭의 경우 X 커패시턴스를 조정하고 차동 모드 인덕터를 추가하여 차동 모드 인덕턴스를 조정할 수 있습니다. 2. 표준을 초과하는 공통 모드 간섭의 경우 공통 모드 인덕턴스를 추가하고 이를 억제하기 위해 합리적인 인덕턴스를 선택할 수 있습니다. 3. 정류기 다이오드의 특성은 FR107과 같은 한 쌍의 고속 다이오드와 한 쌍의 일반 정류기 다이오드 1N4007을 처리하기 위해 변경될 수도 있습니다.
5MHz 이상:
동조 간섭에 중점을 두고 동조를 억제하는 방법을 채택합니다.
쉘 접지의 경우 2-3 회전 동안 접지선에 직렬로 자기 링을 사용하면 10MHZ 이상의 간섭에 대해 더 큰 감쇠 효과가 있습니다. 변압기의 철심에 구리 호일을 붙이도록 선택할 수 있으며 구리 호일은 폐쇄 루프입니다. 백엔드 출력 정류기의 스너버 회로 크기와 1차 대형 회로의 병렬 정전 용량을 처리합니다.
20M-30MHz의 경우:
1. 제품 등급에 따라 Y2의 커패시턴스를 접지로 조정하거나 Y2 커패시턴스의 위치를 변경할 수 있습니다.
2. 1차측과 2차측 사이의 Y1 커패시터 위치와 매개변수 값을 조정합니다.
3. 변압기 외부에 구리 호일을 감쌉니다. 변압기의 가장 안쪽 층에 차폐 층을 추가하십시오. 변압기의 권선 배열을 조정하십시오.
4. PCB 레이아웃을 변경합니다.
5. 출력 라인 앞에 이중선 병렬 권선이 있는 소형 공통 모드 인덕터를 연결합니다.
6. 출력 정류기의 양쪽 끝에 RC 필터를 병렬로 연결하고 합리적인 매개변수를 조정합니다.
7. 변압기와 MOSFET 사이에 BEADCORE를 추가합니다.
8. 변압기의 입력 전압 핀에 작은 커패시터를 추가합니다.
9. MOS 구동 저항을 높일 수 있습니다.
30M-50MHz:
1. 일반적으로 MOS 튜브의 고속 켜짐 및 꺼짐으로 인해 발생합니다. 이는 MOS 드라이브 저항을 높이고 RCD 버퍼 회로에 1N4007 느린 튜브를 사용하고 VCC 공급 전압에 1N4007 느린 튜브를 사용하여 해결할 수 있습니다.
2. RCD 버퍼 회로는 1N4007 느린 튜브를 채택합니다.
3. VCC 전원 공급 장치 전압은 1N4007 느린 튜브로 해결됩니다.
4. 또는 출력 라인의 프런트 엔드는 두 개의 전선이 병렬로 감겨 있는 작은 공통 모드 인덕터와 직렬로 연결됩니다.
5. MOSFET의 DS 핀과 병렬로 작은 스너버 회로를 연결합니다.
6. 변압기와 MOSFET 사이에 BEADCORE를 추가합니다.
7. 변압기의 입력 전압 핀에 작은 커패시터를 추가합니다.
8. PCB LAYOUT 시 대형 전해 커패시터, 변압기 및 MOS로 구성된 회로 루프는 가능한 작아야 합니다.
9. 변압기, 출력 다이오드 및 출력 평활 전해 커패시터로 구성된 회로 루프는 가능한 작아야 합니다.
5천만-100MHZ:
일반적으로 출력 정류관의 역회복 전류로 인해 발생하며,
1. 자기 구슬을 정류관에 연결할 수 있습니다.
2. 출력 정류기의 흡수 회로 매개변수를 조정합니다.
3. BEADCORE를 PIN 핀에 추가하거나 적절한 저항기를 직렬로 연결하는 등 Y 커패시터 분기 전체의 1차측 및 2차측 임피던스를 변경할 수 있습니다.
4. MOSFET을 변경하여 정류기 다이오드 본체에서 공간으로 방사선을 출력하는 것도 가능합니다(예: 철 클립 MOSFET, 철 클립 DIODE, 라디에이터의 접지 지점 변경).
5. 공간에 대한 방사선을 억제하기 위해 차폐 동박을 추가합니다.
100M-200MHz:
이는 일반적으로 출력 정류관의 역회복 전류로 인해 발생합니다. 100MHz~200MHz 사이에서 정류관에 자기 비드를 연결하는 데 사용할 수 있습니다. , 그러나 수직 방향은 매우 무력합니다.
스위칭 전원 공급 장치의 방사는 일반적으로 100M 미만의 주파수 대역에만 영향을 미칩니다. MOS와 다이오드에 해당 흡수 회로를 추가하는 것도 가능하지만 효율이 떨어집니다.
200MHz 이상:
스위칭 전원 공급 장치는 기본적으로 소량의 방사선을 가지며 일반적으로 EMI 표준을 통과할 수 있습니다.
