사이리스터의 세 전극은 멀티미터를 사용하여 구별할 수 있습니다.
일반 사이리스터의 세 전극은 멀티미터 저항계의 R×100 범위를 사용하여 측정할 수 있습니다. 우리가 알고 있듯이 사이리스터의 G 전극과 K 전극 사이에는 pN 접합이 있습니다[그림 2(a)]. 이는 다이오드와 동일하며 G는 양극이고 K는 음극입니다. 따라서 다이오드를 테스트하는 방법에 따라 3개의 전극 중 2개를 찾아 순방향 및 역방향 저항을 측정합니다. 저항이 낮을 때 멀티미터의 검은색 테스트 리드는 게이트 G에 연결되고 빨간색 테스트 리드는 음극 K에 연결되고 나머지 하나는 양극 A에 연결됩니다. 사이리스터의 품질을 테스트하려면 지금 시연한 교육용 보드 회로를 사용할 수 있습니다(그림 3). 전원 SB를 켜십시오. 전구에 불이 들어오면 사이리스터가 좋은 것입니다. 그렇지 않다면 그것은 나쁘다.
사이리스터의 세 전극을 식별하는 방법
사이리스터의 세 전극을 식별하는 방법은 매우 간단합니다. p-N 접합의 원리에 따르면 멀티미터를 사용하여 세 전극 사이의 저항값만 측정하면 됩니다.
애노드와 캐소드 사이의 순방향 및 역방향 저항은 수백 킬로옴 이상이며, 애노드와 게이트 사이의 순방향 및 역방향 저항도 수백 킬로옴 이상입니다(그 사이에 두 개의 p-N 접합이 있고 방향이 반대이므로 애노드와 게이트 사이의 순방향 및 역방향 모두 전도가 없습니다).
게이트와 음극 사이에는 p- N 접합이 있습니다. 따라서 순방향 저항은 대략 몇 옴에서 수백 옴 범위에 있으며 역방향 저항은 순방향 저항보다 큽니다. 그러나 게이트의 다이오드 특성은 이상적이지 않습니다. 역방향은 완전히 차단된 상태가 아니며 상대적으로 큰 전류가 흐를 수 있습니다. 따라서 때로는 측정된 게이트의 역저항이 상대적으로 작다고 해서 반드시 게이트의 특성이 좋지 않다는 의미는 아닙니다. 또한 게이트의 순방향 및 역방향 저항을 측정할 때 과도한 전압으로 인해 게이트가 역방향 - 파손되는 것을 방지하기 위해 멀티미터를 R×10 또는 R×1 범위로 설정해야 합니다.
부품의 양극과 음극 사이의 순방향과 역방향이 단락-되거나, 양극과 게이트가 단락-되거나, 게이트와 음극이 역-단락-되거나, 게이트와 음극이 개방-회로로 측정되면 부품이 파손된 것입니다.
사이리스터는 사이리스터 정류기 요소의 약어입니다. 4개의 - 레이어 구조와 3개의 pN 접합을 갖춘 고- 전력 반도체 소자입니다. 실제로 사이리스터의 기능은 정류에만 국한되지 않습니다. 또한 비- 접점 스위치로 사용하여 회로를 신속하게 연결하거나 분리하고 직류를 교류로 변환하고 한 주파수의 교류를 다른 주파수의 교류로 변환하는 등의 작업을 수행할 수 있습니다. 다른 반도체 장치와 마찬가지로 사이리스터는 작은 크기, 고효율, 우수한 안정성 및 안정적인 작동이라는 장점을 가지고 있습니다. 반도체 기술의 출현으로 반도체 기술은 저-전력 분야에서 고전력 전기 분야로 진출할 수 있게 되었고, 산업, 농업, 운송, 군사 연구는 물론 상업 및 가전제품에도 널리 채택되는 부품이 되었습니다.
