멀티미터를 사용하여 사이리스터의 세 전극을 구별합니다.
실리콘 제어 정류기 모듈은 사이리스터(SilicON Controlled Rectifier, SCR)라고도 합니다. 1950년대에 등장한 이래로 대가족으로 발전했습니다. 주요 구성원으로는 단방향 사이리스터, 양방향 사이리스터, 광 제어 사이리스터, 역전도 사이리스터, 턴오프 사이리스터, 고속 사이리스터 등이 있습니다. 오늘날 우리가 사용하는 것은 단방향 사이리스터이며 사람들이 흔히 일반 사이리스터라고 부르는 것입니다. 이는 3개의 PN 접합과 3개의 외부 전극을 갖춘 4개의 반도체 재료 층으로 구성됩니다. P형 반도체의 첫 번째 층에서 파생된 전극을 애노드 A라고 합니다. 세 번째 층의 P형 반도체에서 가져온 전극입니다. 을 제어전극 G라 하고 4층의 N형 반도체에서 인출한 전극을 캐소드 K라 한다. 사이리스터의 회로기호에서 알 수 있듯이 다이오드와 같은 단방향 전도성 소자이다. 핵심은 추가 제어 전극 G가 있어 다이오드와 완전히 다른 작동 특성을 제공한다는 것입니다.
멀티미터를 사용하여 사이리스터의 세 전극을 구별합니다.
일반 사이리스터의 세 전극은 멀티미터의 옴 다이얼 R×100을 사용하여 측정할 수 있습니다. 우리 모두 알고 있듯이 사이리스터 G와 K 사이에는 다이오드와 동일한 pN 접합이 있습니다(그림 2(a)). G는 양극이고 K는 음극이다. 따라서 다이오드를 테스트하는 방법에 따라 세 개의 극 중 두 개의 극을 찾으십시오. 저항이 작은 경우 멀티미터의 검은색 테스트 리드를 제어 전극 G에 연결하고 빨간색 테스트 리드를 음극 K에 연결하고 나머지 하나를 양극 A에 연결합니다. 사이리스터의 품질을 테스트하려면 방금 시연한 교육 기판 회로를 사용할 수 있습니다(그림 3). 전원 SB를 켰을 때 전구에 불이 들어오면 좋은 것입니다. 불이 들어오지 않으면 나쁜 것입니다.
사이리스터의 세 극을 식별하는 방법
사이리스터의 세 극을 식별하는 방법은 매우 간단합니다. pN 접합의 원리에 따라 멀티미터를 사용하여 세 극 사이의 저항 값을 측정하면 됩니다.
양극과 음극 사이의 순방향 및 역방향 저항은 수백 킬로옴 이상이고, 양극과 제어 전극 사이의 순방향 및 역방향 저항은 수백 킬로옴 이상입니다(그들 사이에는 두 개의 pN 접합이 있으며, 방향 반대로 양극과 제어 전극은 모두 정방향 및 역방향으로 연결됩니다.
제어 전극과 음극 사이에는 pN 접합이 있으므로 순방향 저항은 수 옴에서 수백 옴 범위에 있고 역방향 저항은 순방향 저항보다 큽니다. 그러나 제어전극 다이오드의 특성은 이상적이지 않다. 역방향은 완전히 차단되지 않고 상대적으로 큰 전류가 흐를 수 있습니다. 따라서 측정된 제어 전극의 역저항이 상대적으로 작은 경우가 있는데, 이는 제어 전극 특성이 좋지 않다는 것을 의미하지는 않습니다. . 또한, 제어 전극의 순방향 및 역방향 저항을 측정할 때 멀티미터를 R*10 또는 R*1 블록에 배치하여 과도한 전압으로 인해 제어 전극이 역파괴되는 것을 방지해야 합니다.
부품의 음극과 양극이 정방향과 역방향으로 단락되거나, 양극과 제어전극이 단락되거나, 제어전극과 음극이 역방향으로 단락되거나, 제어전극이 단락된 것으로 측정되는 경우 전극과 음극이 개방되어 있으면 부품이 손상되었음을 의미합니다.
SCR은 Silicon Controlled Rectifier Element의 약자입니다. 3개의 pN 접합을 갖는 4층 구조의 고전력 반도체 소자이다. 실제로 사이리스터의 기능은 정류일 뿐만 아니라 회로를 빠르게 켜거나 끄고 직류를 교류로 반전시키고 한 주파수의 교류를 다른 주파수로 변경하는 스위치로도 사용할 수 있습니다. 빈도. AC 등 다른 반도체 장치와 마찬가지로 사이리스터도 작은 크기, 고효율, 우수한 안정성 및 안정적인 작동이라는 장점을 가지고 있습니다. 그 출현으로 반도체 기술은 약전류 분야에서 강전류 분야로 옮겨졌으며, 산업, 농업, 운송, 군사 과학 연구는 물론 상업 및 민간 기기에 적극적으로 채택되는 부품이 되었습니다.
