True RMS 멀티미터의 사용
1, 극성 결정
먼저 멀티미터를 R × 1K 위치로 설정합니다. 멀티미터로 측정할 때 한 극과 다른 두 극 사이의 저항이 무한대이고 프로브를 교체한 후에도 해당 극과 다른 두 극 사이의 저항이 여전히 무한대이면 이 극이 게이트(G ). 멀티미터로 나머지 두 극을 측정합니다. 측정된 저항이 무한대이면 프로브를 교체하고 더 작은 저항을 측정하십시오. 작은 저항값 측정에서는 빨간색 프로브가 컬렉터(C)에 연결된 것으로 판단됩니다. 검정색 프로브는 이미터(E)에 연결됩니다.
2, 좋음과 나쁨을 판단함
멀티미터를 R × 10K 위치로 설정하고 검정색 프로브를 IGBT의 컬렉터(C)에 연결하고 빨간색 프로브를 IGBT의 이미터(E)에 연결합니다. 이 시점에서 멀티미터의 포인터는 0에 있습니다. 게이트(G)와 컬렉터(C)를 동시에 손가락으로 터치하면 IGBT가 트리거되어 전도됩니다. 멀티미터의 포인터는 저항이 더 낮은 방향으로 회전하고 특정 위치 표시를 멈출 수 있습니다. 그런 다음 손가락으로 게이트(G)와 이미터(E)를 동시에 터치하면 IGBT가 차단되어 멀티미터 포인터가 0으로 돌아갑니다. 이 시점에서 IGBT가 양호하다고 판단할 수 있다.
3, 모든 포인터 멀티미터를 사용하여 IGBT를 감지할 수 있습니다.
IGBT의 품질을 판단할 때 멀티미터를 R × 10K 위치로 설정해야 합니다. R × 1K 위치 아래의 각 멀티미터의 내부 배터리 전압은 너무 낮고 검사 중에 IGBT를 켤 수 없기 때문입니다. IGBT의 품질을 결정하는 것은 불가능합니다. 이 방법은 전력 전계 효과 트랜지스터(P-MOSFET)의 품질을 감지하는 데에도 사용할 수 있습니다.
인버터 IGBT 모듈 감지:
디지털 멀티미터를 다이오드 테스트 모드로 설정하고 IGBT 모듈 c1 e1, c2 e2 사이는 물론 게이트 G와 e1, e2 사이의 순방향 및 역방향 다이오드 특성을 테스트하여 IGBT 모듈이 손상되지 않았는지 확인합니다.
6상 모듈을 예로 들어보겠습니다. 부하측 U, V, W상 배선을 제거하고 다이오드 테스트 모드를 사용하여 빨간색 프로브를 P(컬렉터 c1)에 연결한 후 검정색 프로브로 U, V, W를 순차적으로 측정합니다. 멀티미터는 최대값을 표시합니다. 프로브를 뒤집어 검은색 프로브를 P에 연결하고 빨간색 프로브를 사용하여 U, V 및 W를 측정합니다. 멀티미터는 약 400의 값을 표시합니다. 빨간색 프로브를 N(이미터 e2)에 연결하고 검은색 프로브를 측정합니다. U, V 및 W. 멀티미터는 약 400의 값을 표시합니다. 검은색 프로브를 P에 연결하고 빨간색 프로브로 U, V, W를 측정하면 멀티미터에 최대값이 표시됩니다. 각 상의 순방향 및 역방향 특성은 동일해야 합니다. 차이가 있는 경우 IGBT 모듈의 성능이 저하되었음을 의미하므로 교체해야 합니다. IGBT 모듈이 손상되면 파손 및 단락 상황만 발생합니다.
빨간색과 검은색 프로브는 게이트 G와 이미터 E 사이의 순방향 및 역방향 특성을 측정하는 데 사용됩니다. 멀티미터가 최대값을 두 번 측정하면 IGBT 모듈 게이트가 정상이라고 판단할 수 있습니다. 수치가 표시되면 게이트 성능이 저하되므로 본 모듈을 교체해야 합니다. 순방향 및 역방향 테스트 결과가 0이면 감지된 1상 게이트가 파손되어 단락되었음을 나타냅니다. 게이트가 손상되면 회로 기판의 게이트를 보호하는 전압 조정기도 파손되어 손상됩니다.
