전자 산업의 마이크로 장치에 적외선 현미경을 적용
배경 소개
나노기술의 발전과 함께 하향식 소형화 방법이 반도체 기술 분야에 점점 더 많이 적용되고 있습니다. IC 기술은 이전에 트랜지스터의 크기가 마이크로미터 규모(10⁻⁶미터)였기 때문에 "마이크로전자공학" 기술로 불렸습니다.
그럼에도 불구하고 반도체 기술은 2년마다 새로운 세대가 등장하고 형상 크기가 절반으로 줄어들면서 빠르게 발전합니다. 이것이 바로 유명한 무어의 법칙이다. 약 15년 전, 반도체 산업은 크기가 1마이크로미터보다 작은 서브미크론 시대에 진입했고, 이어서 형상 크기가 1마이크로미터보다 훨씬 작은 딥 서브미크론 시대가 이어졌습니다. 2001년까지 트랜지스터 크기는 0.1마이크로미터 미만, 즉 100나노미터 미만으로 떨어졌습니다. 따라서 우리는 나노전자공학 시대에 살고 있으며 대부분의 미래 집적회로(IC)는 나노기술을 사용하여 제조될 것입니다.
기술 요구 사항
현재 전자 부품의 주요 고장 모드는 열 고장입니다. 통계에 따르면 전자 장치 고장의 55%는 지정된 한도를 초과하는 온도로 인해 발생합니다. 온도가 상승함에 따라 전자 장치의 고장률은 기하급수적으로 증가합니다. 일반적으로 전자 부품의 작동 신뢰성은 온도에 매우 민감합니다. 장치 온도가 70~80도 범위 내에 있으면 1도 올라갈 때마다 신뢰성이 5% 감소합니다. 따라서 부품의 빠르고 안정적인 온도 측정이 필요합니다. 반도체 장치의 크기가 계속 작아짐에 따라 검사 장비의 온도 분해능과 공간 분해능에 대한 요구가 높아지고 있습니다.
