멀티미터를 사용하여 igbt 모듈을 측정하는 방법
먼저 극성을 결정합니다.
우선, 멀티미터로 측정한 R × 1K 블록에 다이얼을 맞춘 멀티미터는 저항의 한 극과 다른 두 극이 무한대인 경우 펜을 전환한 후에도 극과 저항의 다른 두 극이 여전히 무한대입니다. 이 극이 게이트(G)라고 판단된다. 나머지 두 극은 멀티미터로 측정한 후 측정된 저항 값이 무한대인 경우 펜을 전환하여 저항 값을 측정한 후 측정한 값이 더 작습니다. 한 번에 저항값이 작아지는 측정에 있어서, 콜렉터(C)에 연결된 빨간 펜으로 판단하는 단계; 이미터(E)에 연결된 검정색 펜.
둘째, 좋고 나쁨을 판단하는 것
멀티미터는 R × 10K 블록으로 다이얼되며 검은색 펜은 IGBT(C)의 컬렉터에, 빨간색 펜은 IGBT(E)의 이미터에 연결되며 이번에는 멀티미터 포인터가 0 위치에 있습니다. 손가락으로 게이트(G)와 컬렉터(C)를 동시에 터치하면 IGBT가 트리거되어 전도되고 멀티미터 포인터가 더 작은 저항 값 방향으로 회전하여 특정 위치를 표시할 수 있습니다. 그런 다음 게이트(G)와 이미터(E)를 동시에 손가락으로 터치하면 IGBT가 차단되고 멀티미터의 포인터가 다시 0으로 돌아갑니다. 이 시점에서 IGBT가 양호하다고 판단할 수 있습니다.
모든 포인터 멀티미터를 사용하여 IGBT를 테스트할 수 있습니다.
IGBT의 양호 또는 불량을 판단할 때 멀티미터는 R×10K 블록에서 다이얼을 돌려야 합니다. R×1K 블록 아래에 있는 멀티미터의 내부 배터리 전압이 너무 낮아 양호 또는 불량을 감지할 때 IGBT를 전도성으로 만들 수 없기 때문입니다. , IGBT의 좋고 나쁨을 판단하는 것은 불가능합니다. 이 방법은 전력 전계 효과 트랜지스터(P-MOSFET)를 감지하는 데에도 사용할 수 있습니다.
인버터 IGBT 모듈 감지:
다이오드 테스트 파일에 디지털 멀티미터를 다이얼하고 c1 e1, c2 e2 사이의 IGBT 모듈의 다이오드 특성과 게이트 G와 e1, e2 사이의 순방향 및 역방향 다이오드 특성을 테스트하여 IGBT 모듈이 손상되지 않았는지 확인합니다.
6상 모듈을 예로 들어보겠습니다. 부하측 U, V, W상 와이어 제거, 다이오드 테스트 기어 사용, P(콜렉터 c1)에 빨간색 펜 연결, U, V, W를 측정하기 위해 검정색 펜, 멀티미터는 최대값을 표시합니다. 반전되면 검은색 펜은 P에 연결되고 빨간색 펜은 U, V, W를 측정하며 멀티미터는 400 정도의 값을 표시합니다. 그런 다음 빨간색 펜을 N(이미터 e2)에 연결하고 검정색 펜을 사용하여 U, V, W를 측정하면 멀티미터에 약 400의 값이 표시됩니다. 검은색 펜은 P, 빨간색 펜은 U, V, W를 측정하며 멀티미터는 최대값을 표시합니다. 각 위상의 양극 및 음극 특성은 동일해야 하며, IGBT 모듈 성능 저하에 차이가 있는 경우 교체해야 합니다. IGBT 모듈 손상, 단락 회로 고장만 발생합니다.
게이트 G와 이미터 E 사이에서 빨간색과 검은색 펜을 측정한 결과, 멀티미터의 양극 및 음극 특성 두 측정값이 가장 크면 IGBT 모듈 게이트가 정상이라고 판단할 수 있습니다. 숫자가 표시되어 게이트 성능이 저하되면 모듈을 교체해야 합니다. 긍정적이고 부정적인 테스트 결과가 0이면 게이트 폴의 위상 감지가 단락되었음을 나타냅니다. 게이트가 손상되면 게이트를 보호하는 회로 기판의 전압 조정기도 손상됩니다.
