디지털 멀티미터를 사용한 반도체 측정 방법
1, 다이오드
디지털 멀티미터의 다이오드 범위의 개방 회로 전압은 약 2.8V이며, 빨간색 프로브는 양극 단자에 연결되고 검은색 프로브는 음극 단자에 연결됩니다. 측정 중에 제공되는 전류는 약 1mA이며 표시된 값은 mV 또는 V 단위로 측정된 다이오드의 대략적인 순방향 전압 강하입니다. 실리콘 다이오드의 순방향 전압 강하는 약 0.3~0.8V입니다. 게르마늄 다이오드의 순방향 전압 강하는 약 0.1~0.3V이다. 더욱이, 더 높은 전력을 갖는 다이오드의 순방향 전압 강하는 더 작습니다. 측정값이 0.1V 미만이면 다이오드가 파손되었으며 이때 정방향과 역방향이 모두 전도되고 있음을 나타냅니다. 순방향과 역방향이 모두 열려 있으면 다이오드의 PN 노드가 열려 있음을 나타냅니다. 발광 다이오드의 경우 순방향에서 측정했을 때 약 1.7V의 전압 강하로 다이오드가 빛을 방출합니다.
다이오드, 삼극관
2. 트랜지스터에는 이미터 노드(be)와 컬렉터 노드(bc)라는 두 개의 PN 노드가 있으며 이는 다이오드 측정 방법을 사용하여 측정할 수 있습니다. 실제 측정에서는 두 핀마다 순방향 및 역방향 전압 강하를 총 6회 측정해야 합니다. 그 중 4번은 개방회로를 나타내고, 2번만 전압강하값을 나타낸다. 그렇지 않으면 트랜지스터가 파손되거나 특수 트랜지스터(예: 저항성 트랜지스터, 달링턴 트랜지스터 등, 모델별로 일반 트랜지스터와 구별될 수 있음)가 발생합니다. 숫자 값을 사용한 두 가지 측정에서 검은색 또는 빨간색 프로브가 동일한 극에 연결된 경우 해당 극이 베이스이고, 작은 측정 값이 컬렉터 노드이고, 큰 측정 값이 이미터 노드입니다. 베이스가 식별되었으므로 이에 따라 컬렉터와 이미터를 결정할 수 있습니다. 동시에 검은 색 프로브가 같은 극에 연결되면 트랜지스터는 PNP 유형이고 빨간색 프로브가 같은 극에 연결되면 트랜지스터는 NPN 유형임을 확인할 수 있습니다. 실리콘 튜브는 약 0.6V의 전압 강하를 갖는 반면, 게르마늄 튜브는 약 0.2V의 전압 강하를 갖습니다.
3, 사이리스터
사이리스터의 양극, 음극 및 제어 전극은 개방 회로로, 양극 핀을 결정하고 사이리스터가 파손되었는지 여부를 결정하는 데 사용할 수 있습니다. 사이리스터 제어 전극과 음극 사이에도 PN 노드가 있지만 고전력 사이리스터 제어 전극과 음극 사이에는 보호 저항이 있으며 측정 중 표시되는 값은 저항 양단의 전압 강하입니다.
4, 광커플러
옵토커플러의 한쪽은 발광 다이오드로, 측정 중 전압 강하가 약 1V입니다. 다른 쪽은 트랜지스터이며 일부는 c와 e만 리드하며 측정 중에는 정방향과 역방향이 모두 차단됩니다. 핀 3개를 모두 인출하면 측정 특성은 위의 트랜지스터(주로 NPN 트랜지스터)와 동일합니다. 다이오드를 순방향으로 도통시키기 위해 멀티미터를 사용할 경우, 다른 멀티미터를 사용하여 트랜지스터 c에서 e까지의 전압 강하(약 0.15V)를 측정합니다. 다이오드에 연결된 멀티미터를 분리하면 트랜지스터 c~e가 차단되어 옵토커플러가 양호함을 나타냅니다.
