멀티미터를 사용하여 igbt 모듈을 테스트하는 방법
1. 극성의 판단
먼저 멀티미터를 R×1K 블록으로 설정합니다. 멀티미터로 측정할 때 한 극과 다른 두 극의 저항값이 무한대이고 테스트 리드를 교체한 후에도 한 극과 다른 두 극의 저항값이 무한대이면 게이트가 이 극(G)의 나머지 두 극은 멀티미터로 측정됩니다. 측정된 저항이 무한대인 경우 테스트 리드를 변경한 후 측정된 저항이 더 작아집니다. 작은 저항 값의 한 측정에서 빨간색 테스트 리드가 컬렉터(C)에 연결되어 있다고 판단됩니다. 검정색 테스트 리드는 이미터(E)에 연결됩니다.
2. 좋고 나쁨 판단
멀티미터를 R×10K 블록에 맞추고 검정색 테스트 리드를 IGBT의 컬렉터(C)에 연결하고 빨간색 테스트 리드를 IGBT의 이미터(E)에 연결합니다. 이때 멀티미터의 포인터는 0에 있습니다. 손가락으로 게이트(G)와 컬렉터(C)를 동시에 터치합니다. 이 때 IGBT가 트리거되어 전도되고 멀티미터의 포인터가 작은 저항의 방향으로 스윙하며 서서 표시할 수 있습니다. 특정 위치. 그런 다음 손가락으로 게이트(G)와 이미 터(E)를 동시에 터치합니다. 이때 IGBT가 차단되고 멀티미터의 포인터가 0으로 돌아갑니다. 이때 IGBT가 양호하다고 판단할 수 있다.
3. 모든 포인터 멀티미터를 사용하여 IGBT를 감지할 수 있습니다.
IGBT의 양호 여부를 판단할 때 멀티미터를 R×10K 기어로 설정해야 합니다. R×1K 기어 아래 멀티미터의 내부 배터리 전압이 너무 낮기 때문에 IGBT의 양호 여부를 테스트할 때 IGBT를 켤 수 없으며 IGBT의 양호 여부를 판단할 수 없습니다. . 이 방법은 전력 전계 효과 트랜지스터(P-MOSFET)의 양호 여부를 감지하는 데에도 사용할 수 있습니다.
인버터 IGBT 모듈 감지:
디지털 멀티미터를 다이오드 테스트 위치로 돌리고 IGBT 모듈 c1 e1, c2 e2와 게이트 G와 e1, e2 사이의 정방향 및 역방향 다이오드 특성을 테스트하여 IGBT 모듈이 손상되지 않았는지 판단합니다.
6상 모듈을 예로 들어 보겠습니다. 부하측 U, V, W 상의 배선을 제거하고 다이오드 테스트 기어를 사용하여 빨간색 테스트 리드를 P(컬렉터 c1)에 연결하고 검은색 테스트 리드로 U, V, W를 차례로 측정하고, 멀티미터는 최대값을 표시합니다. 테스트 리드를 P에 연결하고 빨간색 테스트 리드로 U, V 및 W를 측정하면 멀티미터에 약 400의 값이 표시됩니다. 그런 다음 빨간색 테스트 리드를 N(이미터 e2)에 연결하고 U, V 및 W를 측정합니다. 검정색 테스트 리드와 멀티미터는 약 400의 값을 표시합니다. 검정색 테스트 리드를 P에 연결하고 빨간색 테스트 리드로 U, V 및 W를 측정하면 멀티미터에 최대값이 표시됩니다. 각 상의 순방향 특성과 역방향 특성이 동일해야 합니다. 차이가 있다면 IGBT 모듈의 성능이 저하되어 교체해야 함을 의미합니다. IGBT 모듈이 손상되면 고장 단락만 발생합니다.
빨간색 테스트 리드와 검은색 테스트 리드는 그리드 G와 이미터 E 사이의 양극과 음극 특성을 각각 측정하고 멀티미터로 측정한 값은 최대 두 번이며 IGBT 모듈의 게이트가 정상이라고 판단할 수 있습니다. 수치가 표시되는 경우 게이트 전극의 성능이 저하된 것이므로 모듈을 교체해야 합니다. 양성 및 음성 테스트 결과가 0이면 감지된 위상 게이트가 파손되어 단락되었음을 의미합니다. 게이트가 손상되면 회로 기판의 게이트를 보호하는 전압 조정기 튜브도 파손되어 손상됩니다.
