디지털 멀티미터를 이용한 반도체 측정 방법
1, 다이오드
디지털 멀티미터 다이오드의 개방 회로 전압은 약 2.8V이며, 빨간색 리드는 양극에 연결되고 검은색 리드는 음극에 연결됩니다. 측정 시 제공되는 전류는 약 1mA이며 표시된 값은 다이오드 순방향 전압 강하의 대략적인 값(mV 또는 V)입니다. 실리콘 다이오드의 양의 전도 전압 강하는 약 0.3~{ {5}}.8V. 게르마늄 다이오드의 순방향 전도 전압 강하는 약 0.1-0.3V이다. 그리고 전력이 더 높은 다이오드는 순방향 전압 강하가 더 낮습니다. 측정된 값이 0.1V 미만이면 다이오드가 파손되었으며 이때 정방향과 역방향이 모두 도통되고 있음을 나타냅니다. 정방향과 역방향이 모두 열려 있으면 다이오드의 PN 부분이 열려 있음을 나타냅니다. 발광다이오드의 경우 순방향으로 측정하면 다이오드가 빛을 내며 관의 전압강하가 약 1.7V이다.
2, 삼극관
트랜지스터에는 이미터 부분(be)과 컬렉터 부분(bc)이라는 두 개의 PN 부분이 있으며 이는 다이오드 측정 방법을 사용하여 측정할 수 있습니다. 실제 측정에서는 두 핀마다 순방향 및 역방향 전압 강하를 총 6회 측정해야 합니다. 그 중 4번은 개방회로를 나타내고, 2번만이 전압강하값을 나타낸다. 그렇지 않으면 트랜지스터가 손상되거나 특수 트랜지스터(예: 밴드갭 트랜지스터, 달링턴 트랜지스터 등 모델별로 일반 트랜지스터와 구별될 수 있음)가 손상될 수 있습니다. 숫자 값을 사용한 두 가지 측정에서 검정색 또는 빨간색 프로브가 동일한 극에 연결된 경우 해당 극이 베이스 극이 됩니다. 측정값이 작을수록 컬렉터 노드이고, 클수록 이미터 노드입니다. 베이스 폴이 결정되었으므로 해당 컬렉터와 이미터를 결정할 수 있습니다. 동시에 검은 색 프로브가 동일한 극에 연결되면 트랜지스터가 PNP 유형임을 확인할 수 있습니다. 빨간색 프로브가 동일한 극에 연결되면 트랜지스터는 NPN 유형입니다. 실리콘 튜브는 약 0.6V의 압력 강하를 갖는 반면, 게르마늄 튜브는 약 0.2V의 압력 강하를 갖습니다.
3, 사이리스터:
사이리스터 양극, 음극 및 제어 전극은 개방 회로로, 양극 핀을 결정하고 사이리스터가 파손되었는지 여부를 결정하는 데 사용할 수 있습니다. 사이리스터 제어 전극과 음극 사이에도 PN 구간이 있지만, 고전력 사이리스터 제어 전극과 음극 사이에는 보호 저항이 있고 측정 중 표시되는 값은 저항의 전압 강하입니다.
4, 광커플러
옵토커플러의 한쪽은 발광 다이오드로, 측정 중 전압 강하가 약 1V입니다. 다른 쪽은 트랜지스터이며 그 중 일부는 c와 e만 리드하며 정방향과 역방향 모두에서 측정이 차단됩니다. 핀 3개를 모두 인출하면 측정 특성은 상위 트랜지스터(주로 NPN 트랜지스터)와 동일합니다. 멀티미터를 사용하여 다이오드를 순방향으로 전도시키는 경우 다른 멀티미터를 사용하여 트랜지스터 c에서 e까지의 전도 전압 강하를 측정합니다. 이는 약 0.15V입니다. 다이오드에 연결된 멀티미터를 분리하면 트랜지스터 c가 e를 차단하여 광커플러가 양호함을 나타냅니다.
