그래서 Bestimmen sie mit einem 아날로그 스미터 다이 Polarität einer triode
첫째, 트랜지스터의 3 개의 핀, 즉베이스 B, 이미 터 E 및 수집기 c를 결정해야한다. c.
base 기본 B를 구별하려면 포인터 멀티 미터를 1K 위치로 설정하고 검은 색 프로브를 트랜지스터의 임의의 핀에 연결하고 다른 두 핀에 빨간색 프로브를 연결하여 측정 된 저항 값이 높고 다른 측정 값이 낮을 때까지 측정 된 저항 값이 높을 때까지 트랜지스터의 전방 및 역방향 값을 측정합니다 (검은 프로브가 측정하기 전에 다른 측정 필요가 측정 해야하는 경우). 이 시점에서, 검은 색 프로브에 연결된 전극은 트랜지스터의베이스 B입니다. 테스트 된 트랜지스터는 PNP 트랜지스터입니다. 이 시점에서 측정되는 두 전극의 저항 값이 둘 다 매우 작 으면, 검은 색 프로브에 연결된 트랜지스터의베이스 B는 NPN 트랜지스터이고 측정되는 트랜지스터는 NPN 트랜지스터입니다.
collector c와 이미 터의 차별; 게르마늄 재료 PNP 및 NPN 트랜지스터의 경우, 상기 방법을 사용하여 먼저 트랜지스터의베이스 B를 결정한 다음 포인터 멀티 미터를 R * 1K 위치에 놓고 나머지 두 전극의 저항 값을 측정 한 다음 두 프로브를 교체 할 수 있습니다. 더 작은 저항 값을 갖는 측정에서, 시험 된 트랜지스터가 PNP 유형 인 경우, 빨간색 프로브에 연결된 전극은 수집기 C이고, 검은 색 프로브에 연결된 전극은 이미 터 e이다. 테스트 된 트랜지스터가 NPN 트랜지스터 인 경우, 빨간색 프로브에 연결된 전극은 이미 터 E이고, 검은 색 프로브에 연결된 전극은 수집기 c입니다.
NPN 유형 실리콘 재료 트랜지스터의 경우, 100K Ω 저항이베이스 B와 수집기 C 사이에 연결 될 수 있습니다. 상기 측정 방법에 따라, 염기 B를 제외한 두 전극 사이의 저항 값을 측정 할 수있다. 더 작은 저항 값은 트랜지스터의 수집기 C에 연결된 검은 색 프로브와 이미 터 e에 연결된 빨간색 프로브로 측정됩니다.
트랜지스터의 세 극을 알면, 증폭 능력을 예비 적으로 추정하는 편리한 방법이 있습니다.
실리콘 재료로 만든 NPN 타입 트랜지스터의 경우; 컬렉터 C에 연결된 빨간색 프로브와 이미 터 e에 연결된 검은 색 프로브를 사용하여 멀티 미터를 RX1K 위치로 설정하십시오. 베이스가 비어 있으면 트랜지스터의 수집기 C를 한 손으로 잡습니다. 인체는 기본 바이어스 저항과 같으며 혀를 사용하여 트랜지스터의 바닥을 핥습니다. 이 시점에서, 포인터 유형 멀티 미터의 포인터는 즉시 높은 저항 값에서 낮은 저항 값 (즉, 스윙 저항 값)으로 즉시 변경됩니다. 이 방법은 약간 구식 일 수 있지만 매우 적합합니다. 관심있는 친구들은 시도해 볼 수 있습니다.
