디지털 멀티미터를 이용한 반도체 측정 방법
1, 다이오드
디지털 멀티미터 다이오드의 개방 회로 전압은 약 2.8V이며 빨간색 프로브는 양극에 연결되고 검은색 프로브는 음극에 연결됩니다. 측정 시 제공되는 전류는 약 1mA이며 표시되는 값은 mV 또는 V 단위로 측정되는 다이오드의 순방향 전압 강하의 대략적인 값입니다. 실리콘 다이오드의 순방향 전도 전압 강하는 약 0입니다. 3-0.8V. 게르마늄 다이오드의 순방향 전도 전압 강하는 약 0.1-0.3V이다. 그리고 전력이 더 높은 다이오드는 순방향 전압 강하가 더 작습니다. 측정값이 0.1V 미만이면 다이오드가 파손되어 정방향 및 역방향 모두 도통하고 있음을 나타냅니다. 정방향과 역방향이 모두 열려 있으면 다이오드의 PN 부분이 열려 있음을 나타냅니다. 발광다이오드의 경우 순방향으로 측정하면 다이오드가 빛을 내며 관의 전압강하가 약 1.7V이다.
2, 트랜지스터
트랜지스터에는 이미터 부분(be)과 컬렉터 부분(bc)이라는 두 개의 PN 부분이 있으며 이는 다이오드 측정 방법을 사용하여 측정할 수 있습니다. 실제 측정에서는 두 핀마다 순방향 및 역방향 전압 강하를 총 6회 측정해야 합니다. 그 중 4번은 개방회로를 나타내고, 2번만 전압강하값을 나타낸다. 그렇지 않으면 트랜지스터에 결함이 있거나 특수 트랜지스터(예: 저항성 트랜지스터, 달링턴 트랜지스터 등, 모델별로 기존 트랜지스터와 구별할 수 있음)입니다. 숫자 값을 사용한 두 가지 측정에서 검은색 또는 빨간색 프로브가 동일한 극에 연결된 경우 해당 극이 베이스 극이 됩니다. 측정값이 작을수록 컬렉터 노드, 측정값이 클수록 이미터 노드입니다. 베이스 폴이 결정되었으므로 해당 컬렉터와 이미터를 결정할 수 있습니다. 동시에 다음과 같이 판단할 수 있습니다. 검정색 프로브가 동일한 극에 연결되면 트랜지스터는 PNP 유형입니다. 빨간색 프로브가 동일한 극에 연결되면 트랜지스터는 NPN 유형입니다. 실리콘 튜브는 약 0.6V의 압력 강하를 갖는 반면, 게르마늄 튜브는 약 0.2V의 압력 강하를 갖습니다.
3, 사이리스터:
사이리스터의 양극, 음극 및 제어 전극은 개방 회로로, 양극 핀을 결정하고 사이리스터가 파손되었는지 여부를 결정하는 데 사용할 수 있습니다. 사이리스터 제어 전극과 캐소드 사이의 공간도 PN 구간이지만, 고출력 사이리스터 제어 전극과 캐소드 사이에 보호 저항이 있고, 측정 중 표시되는 값은 저항의 전압 강하입니다.
4, 광커플러
옵토커플러의 한쪽은 발광 다이오드로, 측정 중 전압 강하가 약 1V입니다. 다른 쪽은 트랜지스터이며 그 중 일부는 c와 e만 연결하고 정방향과 역방향 모두에서 측정이 차단됩니다. 핀 3개를 모두 인출하면 측정 특성은 상위 트랜지스터(주로 NPN 트랜지스터)와 동일합니다. 멀티미터를 사용하여 다이오드를 순방향으로 전도시키는 경우 다른 멀티미터를 사용하여 트랜지스터 c에서 e까지의 전도 전압 강하를 측정합니다. 이는 약 0.15V입니다. 다이오드에 연결된 멀티미터를 분리하면 트랜지스터 c가 e를 차단하여 광커플러가 양호함을 나타냅니다.
