사이리스터의 세 전극은 멀티미터로 구별할 수 있습니다.

사이리스터의 세 전극은 멀티미터로 구별할 수 있습니다.

사이리스터 모듈은 SilicON 제어 정류기(SCR)라고도 합니다. 1950년대에 나온 이후 대가족으로 발전해 왔으며 그 주요 구성원은 단방향 사이리스터, 양방향 사이리스터, 광 제어 사이리스터, 역 사이리스터, 턴오프 사이리스터, 고속 사이리스터 등입니다. 오늘날 사람들은 흔히 일반 사이리스터라고 불리는 단방향 사이리스터를 사용합니다. 3개의 PN 접합과 3개의 외부 전극을 갖춘 4개의 반도체 재료 층으로 구성됩니다. P형 반도체의 첫 번째 층을 애노드 A라고 하고, P형 반도체의 세 번째 층을 제어 전극 G라고 하고, 네 번째 층을 N형 반도체의 캐소드(Cathode) K라고 부른다. 사이리스터의 회로 기호에서 알 수 있듯이 다이오드와 같은 단방향 전도성 소자인데, 핵심은 제어 전극 G를 추가해 완전히 다른 작동 특성을 갖게 하는 것이다. 다이오드에서.

사이리스터의 세 전극은 멀티미터로 구별할 수 있습니다.
일반적인 사이리스터의 세 전극은 멀티미터의 R×100Ω 블록으로 측정할 수 있습니다. 우리 모두 알고 있듯이 사이리스터 G와 K 사이에는 pN 접합이 있는데(그림 2(a)), 이는 다이오드와 동일하며 G는 양극이고 K는 음극입니다. 따라서 다이오드를 테스트하는 방법에 따라 3개의 극 중 2개를 찾아 양극 및 음극 저항을 측정합니다. 저항이 작을 때 멀티미터의 검정색 스타일러스는 제어 전극 G에 연결되고 빨간색 스타일러스는 음극 K에 연결되며 나머지는 양극 A입니다. 사이리스터의 품질을 테스트하려면 다음을 사용할 수 있습니다. 방금 시연한 교육용 기판 회로(그림 3). 전원 SB를 연결했을 때 전구가 빛나면 좋은 것이고, 빛나지 않으면 불량입니다.

SCR의 세 극을 식별하는 방법

SCR의 세 극을 식별하는 방법은 매우 간단합니다. pN 접합의 원리에 따라 멀티미터를 사용하여 세 극 사이의 저항을 측정하면 됩니다.

양극과 음극 사이의 순방향 및 역방향 저항은 수백 킬로옴 이상이며, 양극과 제어 전극 사이의 순방향 및 역방향 저항은 수백 킬로옴 이상입니다(그 사이에 두 개의 pN 접합이 있고 방향이 반대입니다. 따라서 양극과 제어 전극이 모두 차단됩니다.

제어 전극과 음극 사이에는 pN 접합이 있으므로 순방향 저항은 수 옴에서 수백 옴 범위에 있고 역방향 저항은 순방향 저항보다 큽니다. 그러나 제어전극의 다이오드 특성은 이상적이지 않고, 역방향도 완전히 차단되지 않아 상대적으로 큰 전류가 흐를 수 있다. 따라서 측정된 제어 전극의 역저항이 상대적으로 작은 경우가 있는데, 이는 제어 전극 특성이 좋지 않다는 것을 의미하지는 않습니다. 또한, 제어 전극의 순방향 및 역방향 저항을 측정할 때 과도한 전압으로 인해 제어 전극이 역파괴되는 것을 방지하기 위해 멀티미터를 R*10 또는 R*1에 배치해야 합니다.

소자의 양극과 음극이 단락되거나, 양극이 제어전극과 단락되거나, 제어전극이 음극과 단락되거나, 제어전극이 개방되는 것으로 측정되는 경우 음극, 요소가 손상되었습니다.

Silicon Controlled Rectifier(실리콘 제어 정류기)는 Silicon Controlled Rectifier(실리콘 제어 정류기)의 약어로, 3개의 pN 접합과 4층 구조를 갖춘 고전력 반도체 소자입니다. 실제로 실리콘 제어 정류기의 기능은 정류일 뿐만 아니라 스위치 없는 스위치로 사용하여 회로를 빠르게 켜거나 끄고 DC를 AC로 변경하고 한 주파수의 AC를 AC로 변경하는 인버터를 실현할 수 있습니다. 다른 주파수 등등. 실리콘 제어 정류기는 다른 반도체 장치와 마찬가지로 작은 크기, 고효율, 우수한 안정성 및 안정적인 작동이라는 장점을 가지고 있습니다. 그 등장으로 인해 반도체 기술은 약한 전기 분야에서 강한 전기 분야로 진출하게 되었고, 공업, 농업, 교통, 군사 과학 연구, 상업, 민간 기기 등에 활용되는 요소가 되었습니다.