스위칭 전원 공급 장치 설계 시 EMI 방지 대책은 무엇입니까?
1MHZ 내에서는----주로 차동 모드 간섭이 발생하며 이는 X 정전용량을 증가시켜 해결할 수 있습니다.
1MHZ---5MHZ---차동 모드와 공통 모드 혼합, 입력 단자와 일련의 X 커패시터를 사용하여 차동 모드 간섭을 필터링하고 어떤 간섭이 표준을 초과하는지 분석하여 해결합니다. 5M--- 이상은 주로 공통 모드 간섭이므로 코터칭을 억제하는 방법을 채택합니다. 접지된 쉘의 경우 자석을 사용하여 접지선을 2바퀴 둘러싸면 10MHZ 이상의 간섭이 크게 감소됩니다(diudiu2006). 25--30MHZ의 경우 접지에 대한 Y 커패시턴스를 늘리고 변압기 주위에 구리를 감쌀 수 있습니다. , PCBLAYOUT을 변경하고 출력선 앞에 이중선으로 작은 자기링을 연결하고 10바퀴 이상 감은 후 출력 정류관 양쪽 끝에 RC 필터를 연결합니다.
30---50MHZ는 일반적으로 MOS 튜브의 고속 개폐로 인해 발생합니다. 이는 MOS 구동 저항을 높이고 RCD 버퍼 회로에 1N4007 느린 튜브를 사용하고 VCC 공급 전압에 1N4007 느린 튜브를 사용하여 해결할 수 있습니다.
100---200MHZ는 일반적으로 출력 정류기의 역회복 전류로 인해 발생합니다. 정류기에 자기 비드를 연결할 수 있습니다.
100MHz에서 200MHz 사이의 대부분의 문제는 PFCMOSFET 및 PFC 다이오드로 인해 발생합니다. 이제 MOSFET 및 PFC 다이오드 스트링 비드가 효과적입니다. 가로 방향은 기본적으로 문제를 해결할 수 있지만 세로 방향은 매우 무력합니다.
스위칭 전원 공급 장치의 방사는 일반적으로 100M 미만의 주파수 대역에만 영향을 미칩니다. 해당 흡수 루프를 MOS 및 다이오드에도 추가할 수 있지만 효율성은 감소합니다.
스위칭 전원 공급 장치 설계 시 EMI 방지 조치
1. 노이즈 회로 노드의 PCB 동박 면적을 최소화합니다. 스위치 튜브의 드레인 및 컬렉터, 1차 및 2차 권선 노드 등
2. 입력 및 출력 단자를 변압기 와이어 팩, 변압기 코어, 스위치 튜브의 방열판 등과 같이 잡음이 많은 구성 요소에서 멀리 두십시오.
3. 시끄러운 구성 요소(예: 비차폐 변압기 와이어 팩, 비차폐 변압기 코어, 스위치 튜브 등)를 케이싱 가장자리에서 멀리 두십시오. 정상 작동 시 케이싱 가장자리가 외부 접지에 가까워질 가능성이 높기 때문입니다. 철사.
4. 변압기가 전기장 차폐를 사용하지 않는 경우 차폐 및 방열판을 변압기에서 멀리 두십시오.
5. 2차(출력) 정류기, 1차 스위칭 전원 장치, 게이트(베이스) 구동 회로 및 보조 정류기 등 전류 루프의 면적을 최소화합니다.
6. 게이트(기본) 드라이브 피드백 루프를 기본 스위칭 회로 또는 보조 정류기 회로와 혼합하지 마십시오.
7. 스위치의 데드타임 동안 링잉 소리가 발생하지 않도록 댐핑 저항 값을 조정하고 최적화합니다.
8. EMI 필터 인덕터 포화를 방지합니다.
9. 회전 노드와 보조 회로 부품을 기본 회로의 실드나 스위치 튜브의 방열판에서 멀리 두십시오.
10. 기본 회로 스윙 노드와 구성 요소 본체를 실드나 방열판에서 멀리 두십시오.
11. 고주파 입력 EMI 필터를 입력 케이블이나 커넥터 끝 부분에 가깝게 배치합니다.
12. 고주파 출력 EMI 필터를 출력 배선 단자에 가깝게 유지하십시오.
13. EMI 필터 반대편 PCB의 동박과 부품 본체 사이에 일정한 거리를 유지하십시오.
14. 보조 코일의 정류기 라인에 저항을 몇 개 배치합니다.
15. 댐핑 저항을 자성 막대 코일에 병렬로 연결합니다.
16. 출력 RF 필터 전체에 걸쳐 댐핑 저항기를 병렬로 연결합니다.
17. PCB를 설계할 때 변압기 1차측 정적 끝단과 보조 권선 전체에 1nF/500V 세라믹 커패시터 또는 일련의 저항기를 배치하는 것이 허용됩니다.
18. EMI 필터를 전력 변압기에서 멀리 두십시오. 특히 랩 끝 부분에 배치하지 마십시오.
19. PCB 면적이 충분할 경우 실드 권선용 핀과 RC 댐퍼 위치를 PCB에 그대로 둘 수 있습니다. RC 댐퍼는 실드 권선의 양쪽 끝을 가로질러 연결될 수 있습니다.
20. 공간이 허락한다면 스위칭 전력 FET의 드레인과 게이트 사이에 작은 방사형 리드 커패시터(밀러 커패시터, 10pF/1kV 정전용량)를 배치합니다.
21. 공간이 허락한다면 DC 출력에 작은 RC 댐퍼를 배치하십시오.
22. AC 소켓과 기본 스위치 튜브의 방열판을 서로 가까이 배치하지 마십시오.
